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Transistor DG MOSFET submicronique: Modélisation du transport quantique
Γαλλική
206 b
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Le présent ouvrage a pour but lżétude et la modélisation des transistors DG MOSFET ultimes, il présente l'impact des effets quantiques sur les performances électriques des transistors MOSFET double grille. Aprčs un rappel de la théorie du fonctionnement du transistor MOSFET nous montrons l'intéręt de leur miniaturisation et les principaux effets issus de la réduction de ses dimensions. Nous présentons également les architectures émergentes. Aussi dans un premier temps, nous donnons la description du transport électronique par la mécanique classique, modčle de dérive-diffusion et dans un second temps, nous présentons le modčle de transport quantique, basé sur la résolution couplée des équations de Schrödinger et Poisson ŕ deux dimensions. Ce livre servira aux étudiants universitaires en sciences de l'ingénieur ou physique ainsi qu'aux chercheurs et aux enseignants chercheurs dans ces domaines.
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